BGH50N65HS1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
Producentens varenummer:
BGH50N65HS1
TME-symbol:
BGH50N65HS1
Specifikation
Producent | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistortype | IGBT | |
Teknik | Field Stop, SiC SBD, Trench | |
Spænding kollektor - emitter | 650V | |
Kollektorstrøm | 50A | |
Effektdissipation | 357W | |
Kapsling | TO247-3 | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 200A | |
Montering | THT | |
Gate-ladning | 308nC | |
Type af emballage | rør | |
Indkoblingstid | 54ns | |
Frakoblingstid | 256ns | |
Egenskaber af halvlederkomponenter | integrated anti-parallel diode |
Bruttovægt6.26 g
Certifikater
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. er importør af produkter af dette mærke
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-transistorer, THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* BGH50N65HS1
34 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Nettopris for mængder fra 1 stk - 10.61 USDBruttopris for mængder fra 1 stk - 13.26 USD
Nettopris for mængder fra 5 stk - 9.54 USDBruttopris for mængder fra 5 stk - 11.93 USD
Nettopris for mængder fra 30 stk - 8.43 USDBruttopris for mængder fra 30 stk - 10.53 USD
Nettopris for mængder fra 150 stk - 7.06 USDBruttopris for mængder fra 150 stk - 8.83 USD
Nettopris for mængder fra 600 stk - 6.82 USDBruttopris for mængder fra 600 stk - 8.52 USD
Producentens emballeringsmetode:Rør = 30 stk