+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

BGH50N65HS1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3


Producent: BASiC SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
BGH50N65HS1
TME-symbol:
BGH50N65HS1

Specifikation

Producent
BASiC SEMICONDUCTOR
Transistortype
IGBT
Teknik
Field Stop, SiC SBD, Trench
Spænding kollektor - emitter
650V
Kollektorstrøm
50A
Effektdissipation
357W
Kapsling
TO247-3
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
200A
Montering
THT
Gate-ladning
308nC
Type af emballage
rør
Indkoblingstid
54ns
Frakoblingstid
256ns
Egenskaber af halvlederkomponenter
integrated anti-parallel diode
Bruttovægt6.26 g
Certifikater

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. er importør af produkter af dette mærke

Se andre produkter i denne kategori: IGBT-transistorer, THT BASiC SEMICONDUCTOR,
*
BGH50N65HS1
34 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Mindste ordremængde: 1.
Mangfoldighed: 1.
Produktet er tilgængeligt, så længe lager haves
Nettopris for mængder fra 1 stk - 8.12 GBPBruttopris for mængder fra 1 stk - 10.15 GBP
Nettopris for mængder fra 5 stk - 7.30 GBPBruttopris for mængder fra 5 stk - 9.13 GBP
Nettopris for mængder fra 30 stk - 6.45 GBPBruttopris for mængder fra 30 stk - 8.06 GBP
Nettopris for mængder fra 150 stk - 5.41 GBPBruttopris for mængder fra 150 stk - 6.76 GBP
Nettopris for mængder fra 600 stk - 5.22 GBPBruttopris for mængder fra 600 stk - 6.52 GBP
Producentens emballeringsmetode:Rør = 30 stk