+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

GD100FFX65C5S

Modul: IGBT; transistor/transistor; 3-fase-bro IGBT; Urmax: 650V


Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
GD100FFX65C5S
TME-symbol:
GD100FFX65C5S

Specifikation

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
transistor/transistor
Topologi
3-fase-bro IGBT, NTC-termistor
Maks tilbagespænding
650V
Kollektorstrøm
100A
Kapsling
C5 45mm
Elektrisk montering
Press-in PCB
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
200A
Teknik
Trench FS IGBT
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt200 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD100FFX65C5S
0 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 12)
Mindste ordremængde: 12.
Mangfoldighed: 12.
Produkt til specialbestilling