+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Ring til os på +48 42 645 54 44

Registrer dig

Quick Buy Favoritter

Kontakt venligst din markedsrepræsentant. Inviter os til et onlinemøde.

Databehandling i gang Databehandling i gang

Din kreditgrænse er overskredet. Din ordre vil blive accepteret, men ikke gennemført. Leveringsplanen vil ikke blive indstillet. Kontakt venligst en TME-medarbejder.

Opgaven blev gennemført med succes.

Der opstod en uventet fejl. Prøv venligst igen.

Producent	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul	IGBT
Halvlederstruktur	diode/transistor
Topologi	frekvensomformer 3 niveauer, 1-fase, NTC-termistor
Maks tilbagespænding	650V
Kollektorstrøm	150A
Kapsling	L3.1
Elektrisk montering	Press-in PCB
Spænding gate - emitter	±20V
Kollektorstrøm i impulsen	300A
Teknik	Trench FS IGBT
Mekanisk montering	skruet

GD150MLX65L3S

Modul: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 150A; L3.1; skruet

Specifikation