+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

GD75FFX170C6S

Modul: IGBT; transistor/transistor; 3-fase-bro IGBT; Urmax: 1700V


Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
GD75FFX170C6S
TME-symbol:
GD75FFX170C6S

Specifikation

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
transistor/transistor
Topologi
3-fase-bro IGBT, NTC-termistor
Maks tilbagespænding
1,7kV
Kollektorstrøm
75A
Kapsling
C6 62mm
Elektrisk montering
Press-in PCB
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
150A
Teknik
Trench FS IGBT
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt300 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD75FFX170C6S
0 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 10)
Mindste ordremængde: 10.
Mangfoldighed: 10.
Produkt til specialbestilling