IXDN75N120
Modul: IGBT; en enkelt transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 150A; SOT227B
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
IXDN75N120
TME-symbol:
IXDN75N120
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | en enkelt transistor | |
Maks tilbagespænding | 1,2kV | |
Kollektorstrøm | 150A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektrisk montering | skruet | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 190A | |
Effektdissipation | 660W | |
Teknik | NPT | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt34.72 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* IXDN75N120
0 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Nettopris for mængder fra 1 stk - 44.63 USDBruttopris for mængder fra 1 stk - 55.79 USD
Nettopris for mængder fra 10 stk - 41.82 USDBruttopris for mængder fra 10 stk - 52.28 USD
Producentens emballeringsmetode:Rør = 10 stk