IXGN200N60B3
Modul: IGBT; en enkelt transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
IXGN200N60B3
TME-symbol:
IXGN200N60B3
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | en enkelt transistor | |
Maks tilbagespænding | 0,6kV | |
Kollektorstrøm | 200A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektrisk montering | skruet | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 1,2kA | |
Effektdissipation | 830W | |
Teknik | GenX3™, PT | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt37.1 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* IXGN200N60B3Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 46.00 EURBruttopris for mængder fra 1 stk - 57.50 EUR
Producentens emballeringsmetodeRør = 10 stk