MII200-12A4
Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbro; Urmax: 1,2kV
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
MII200-12A4
TME-symbol:
MII200-12A4
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | transistor/transistor | |
Topologi | IGBT-halvbro | |
Maks tilbagespænding | 1,2kV | |
Kollektorstrøm | 180A | |
Kapsling | Y3-DCB | |
Anvendelse | motorer | |
Elektrisk montering | FASTON-stik, skruet | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 360A | |
Effektdissipation | 1,13kW | |
Teknik | NPT | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt10 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* MII200-12A4Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 1 585.35 DKKBruttopris for mængder fra 1 stk - 1 981.69 DKK
Nettopris for mængder fra 4 stk - 1 420.84 DKKBruttopris for mængder fra 4 stk - 1 776.04 DKK
Nettopris for mængder fra 6 stk - 1 278.76 DKKBruttopris for mængder fra 6 stk - 1 598.45 DKK