MII200-12A4
Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbro; Urmax: 1,2kV
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
MII200-12A4
TME-symbol:
MII200-12A4
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | transistor/transistor | |
Topologi | IGBT-halvbro | |
Maks tilbagespænding | 1,2kV | |
Kollektorstrøm | 180A | |
Kapsling | Y3-DCB | |
Anvendelse | motorer | |
Elektrisk montering | FASTON-stik, skruet | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 360A | |
Effektdissipation | 1,13kW | |
Teknik | NPT | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt10 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* MII200-12A4
0 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Nettopris for mængder fra 1 stk - 212.00 EURBruttopris for mængder fra 1 stk - 265.00 EUR
Nettopris for mængder fra 4 stk - 190.00 EURBruttopris for mængder fra 4 stk - 237.50 EUR
Nettopris for mængder fra 6 stk - 171.00 EURBruttopris for mængder fra 6 stk - 213.76 EUR