STGAP2SICSCTR
IC: driver; gate-driver SiC MOSFET; SO8-W; -4÷4A; 1,2kV; Ch: 1
Producent: STMicroelectronics
Producentens varenummer:
STGAP2SICSCTR
TME-symbol:
STGAP2SICSCTR
Specifikation
Producent | STMicroelectronics | |
Type af integreret kredsløb | driver | |
Type af integreret kredsløb | gate-driver SiC MOSFET | |
Kapsling | SO8-W | |
Udgangsstrøm | -4...4A | |
Udgangsspænding | 1,2kV | |
Antal kanaler | 1 | |
Egenskaber af integrerede kredsløb | galvanisk isolation | |
Montering | SMD | |
Arbejdstemperatur | -40...125°C | |
Type af emballage | rulle, tape |
Forsyningsspænding
- 3,1...5,5V
Bruttovægt1 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: MOSFET/IGBT-drivere STMicroelectronics,
* STGAP2SICSCTR
0 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 1 000)
Nettopris for mængder fra 1000 stk - 1.69 USDBruttopris for mængder fra 1000 stk - 2.11 USD