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APTC60AM45B1G

Módulo; diodo/transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APTC60AM45B1G
Símbolo TME:
APTC60AM45B1G

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Tensión drenaje-fuente
600V
Corriente del drenaje
38A
Carcasa
SP1
Topología
boost chopper, medio puente MOSFET
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
45mΩ
Corriente del drenaje en impulso
130A
Poder disipado
250W
Tecnología
CoolMOS™
Tensión puerta-fuente
±20V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto80 g
Certificados

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APTC60AM45B1G
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Precio neto para cantidades a partir de 12 und - 70.21 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 12 und - 84.96 EUR
Número de unidades (Multiplicidad: 12)