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APTCV60HM45RT3G

Módulo; diodo/transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APTCV60HM45RT3G
Símbolo TME:
APTCV60HM45RT3G

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET / IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Tensión drenaje-fuente
600V
Corriente del drenaje
38A
Carcasa
SP3F
Topología
puente H, puente unifase de diodo, termistor NTC
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
45mΩ
Corriente del drenaje en impulso
130A
Poder disipado
250W
Tecnología
CoolMOS™, Field Stop, Trench
Tensión puerta-fuente
±20V
Montaje mecánico
atornillado
Corriente de colector
50A
Peso bruto110 g
Certificados

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APTCV60HM45RT3G
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Precio neto para cantidades a partir de 12 und - 70.29 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 12 und - 85.05 EUR
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