APTM100A13SCG
Módulo; diodo SiC/transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APTM100A13SCG
Símbolo TME:
APTM100A13SCG
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | diodo SiC/transistor | ||
Tensión drenaje-fuente | 1kV | ||
Corriente del drenaje | 49A | ||
Carcasa | SP6C | ||
Topología | medio puente MOSFET + diodos en serie + diodos paralelos | ||
Montaje eléctrico | atornillado, FASTON terminales | ||
Resistencia en estado de transferencia | 156mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 240A | ||
Poder disipado | 1,25kW | ||
Tecnología | POWER MOS 7®, SiC | ||
Tensión puerta-fuente | ±30V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto300 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* APTM100A13SCGNúmero de unidades (Multiplicidad: 4)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 4 und - 263.98 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 4 und - 319.42 USD
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