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APTM100H35FT3G

Módulo; transistor/transistor; 1kV; 17A; SP3; Press-in PCB; 390W

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APTM100H35FT3G
Símbolo TME:
APTM100H35FT3G

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1kV
Corriente del drenaje
17A
Carcasa
SP3
Topología
puente H, termistor NTC
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
0,42Ω
Corriente del drenaje en impulso
88A
Poder disipado
390W
Tecnología
FREDFET, POWER MOS 7®
Tensión puerta-fuente
±30V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto110 g
Certificados

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APTM100H35FT3G
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Precio neto para cantidades a partir de 8 und - 127.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 8 und - 154.26 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 8)