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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	1kV
Corriente del drenaje	97A
Carcasa	SP6C
Montaje eléctrico	atornillado, FASTON terminales
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	70mΩ
Corriente del drenaje en impulso	516A
Poder disipado	2,272kW
Tecnología	POWER MOS 7®
Tensión puerta-fuente	±30V
Montaje mecánico	atornillado

APTM100UM60FAG

Módulo; transistor individual; 1kV; 97A; SP6C; Idm: 516A; 2272W

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca