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APTM10DUM02G

Módulo; transistor/transistor,fuente conjunta; 100V; 370A; SP6C

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APTM10DUM02G
Símbolo TME:
APTM10DUM02G

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
fuente conjunta, transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
370A
Carcasa
SP6C
Topología
MOSFET x2
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia
2,5mΩ
Corriente del drenaje en impulso
1900A
Poder disipado
1,25kW
Tecnología
POWER MOS 5®
Tensión puerta-fuente
±30V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados

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APTM10DUM02G
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Precio neto para cantidades a partir de 4 und - 209.12 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 4 und - 253.03 EUR
Número de unidades (Multiplicidad: 4)