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APTM10HM19FT3G

Módulo; transistor/transistor; 100V; 50A; SP3F; Press-in PCB; 208W

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APTM10HM19FT3G
Símbolo TME:
APTM10HM19FT3G

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
50A
Carcasa
SP3F
Topología
puente H, termistor NTC
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
21mΩ
Corriente del drenaje en impulso
300A
Poder disipado
208W
Tecnología
FREDFET, POWER MOS 5®
Tensión puerta-fuente
±30V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto110 g
Certificados

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APTM10HM19FT3G
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Precio neto para cantidades a partir de 14 und - 60.84 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 14 und - 73.62 EUR
Número de unidades (Multiplicidad: 14)