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APTM50AM38SCTG

Módulo; diodo SiC/transistor; 500V; 67A; SP4; Idm: 360A; 694W

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APTM50AM38SCTG
Símbolo TME:
APTM50AM38SCTG

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente
500V
Corriente del drenaje
67A
Carcasa
SP4
Topología
medio puente MOSFET + diodos en serie + diodos paralelos, termistor NTC
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia
45mΩ
Corriente del drenaje en impulso
360A
Poder disipado
694W
Tecnología
POWER MOS 7®, SiC
Tensión puerta-fuente
±30V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto160 g
Certificados

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APTM50AM38SCTG
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Precio neto para cantidades a partir de 6 und - 126.20 GBPPrecio bruto para cantidades a partir de 6 und - 152.70 GBP
Número de unidades (Multiplicidad: 6)