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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	diodo SiC/transistor, emisor compartido
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	20A
Carcasa	SP3F
Topología	IGBT x2, medio puente MOSFET, termistor NTC
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia	98mΩ
Corriente del drenaje en impulso	55A
Poder disipado	125W
Tecnología	Field Stop, SiC, Trench
Montaje mecánico	atornillado

APTMC120HR11CT3AG

Módulo; diodo SiC/transistor,emisor compartido; 1,2kV; 20A; SP3F

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca