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MSCSM120AM027CD3AG

Módulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 584A; D3; Idm: 1400A; 2,97kW

El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
MSCSM120AM027CD3AG
Símbolo TME:
MSCSM120AM027CD3AG

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
584A
Carcasa
D3
Topología
medio puente MOSFET + diodos paralelos
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia
3,5mΩ
Corriente del drenaje en impulso
1400A
Poder disipado
2,97kW
Tecnología
SiC
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto350 g
Certificados

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MSCSM120AM027CD3AG
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