APTM120DA30CT1G
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W
Proizvođač: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oznaka proizvođača:
APTM120DA30CT1G
TME Simbol:
APTM120DA30CT1G
Specifikacija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | SiC diode/transistor | ||
Drain-source voltage | 1,2kV | ||
Drain current | 23A | ||
Case | SP1 | ||
Topology | boost chopper, NTC thermistor | ||
Electrical mounting | Press-in PCB | ||
On-state resistance | 0,36Ω | ||
Pulsed drain current | 195A | ||
Power dissipation | 657W | ||
Technology | POWER MOS 8®, SiC | ||
Gate-source voltage | ±30V | ||
Mechanical mounting | screw |
Težina bruto80 g
Certifikati
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. je uvoznik proizvoda ove marke
Pogledajte ostale proizvode u ovoj kategoriji: Transistor drivers MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30CT1GBroj komada (Višekratnost: 12)
0 na skladištu u TME
Net cijena za količine od 12 komad - 65.90 EURBruto cijena za količine od 12 komad - 82.37 EUR
Ponuda dostupna za prijavljene korisnike