+1 500 000 termék a kínálatban

6000 csomag postázása naponta

+300 000 vásárló 150 országból

Quick Buy Kedvencek
Kosár

2024.03.28-tól felfüggesztettük az egyéni vásárlóknak történő értékesítést. A helyzet esetleges változásairól folyamatosan tájékoztatni fogjuk Önt.

A vállalati ügyfeleknek nyújtott szolgáltatás változatlanul folytatódik. Elnézést kérünk a kellemetlenségekért.

APTM120U10SCAVG

Modul; SiC dióda/tranzisztor; 1,2kV; 86A; SP6; csavarható; 3,29kW

Gyartó: MICROCHIP TECHNOLOGY

Gyártói jelölés:
APTM120U10SCAVG
TME Jelkép:
APTM120U10SCAVG

Specifikáció

Gyártó
MICROCHIP TECHNOLOGY
Félvezető modul típusa
MOSFET tranzisztor
Félvezető struktúra
SiC dióda/tranzisztor
Drén - forrás feszültség
1,2kV
Drén áram
86A
Tokozás
SP6
Topológia
egy tranzisztor + soros dióda + párhuzamos dióda
Elektromos szerelés
csavarható
Ellenállás vezetési állapotban
0,12Ω
Impulzus drain áram
464A
Teljesítmény elosztás
3,29kW
Technológia
POWER MOS 7®, SiC
Kapu-forrás feszültség
±30V
Mechanikai szerelés
csavarható
Bruttó súlya300 g
Tanusítványok

A Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. importőre ezen márka termékeinek

További termékek ebben a kategóriában: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
*
APTM120U10SCAVG
0 raktáron a TME-nél
Nettó ár a következő mennyiségek esetében 3 db - 307.45 USDBruttó ár a következő mennyiségekre 3 db - 390.46 USD
Darabszám (Többszörös: 3)