+1 500 000 termék a kínálatban

7000 csomag postázása naponta

+300 000 vásárló 150 országból

Quick Buy Kedvencek
Kosár

2024.03.28-tól felfüggesztettük az egyéni vásárlóknak történő értékesítést. A helyzet esetleges változásairól folyamatosan tájékoztatni fogjuk Önt.

A vállalati ügyfeleknek nyújtott szolgáltatás változatlanul folytatódik. Elnézést kérünk a kellemetlenségekért.

GD100PIX65C6S

Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V


Gyartó: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Gyártói jelölés:
GD100PIX65C6S
TME Jelkép:
GD100PIX65C6S

Specifikáció

Gyártó
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Félvezető modul típusa
IGBT
Félvezető struktúra
dióda/tranzisztor
Topológia
3 fázisú dióda hid, boost chopper, IGBT 3 fázisú híd OE kimenet, NTC termisztor
Max ellenfeszültség
650V
Kollektoráram
100A
Tokozás
C6 62mm
Elektromos szerelés
Press-in PCB
Emitter - kapu feszültség
±20V
Kollektoráram az impulzusban
200A
Technológia
Trench FS IGBT
Mechanikai szerelés
csavarható
Bruttó súlya300 g
Tanusítványok
További termékek ebben a kategóriában: IGBT modulok STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD100PIX65C6S
0 raktáron a TME-nél
Darabszám (Többszörös: 10)
Minimális rendelési mennyiség: 10.
Többszörös: 10.
Termék speciális megrendelésre