+1 500 000 termék a kínálatban

7000 csomag postázása naponta

+300 000 vásárló 150 országból

Quick Buy Kedvencek
Kosár

2024.03.28-tól felfüggesztettük az egyéni vásárlóknak történő értékesítést. A helyzet esetleges változásairól folyamatosan tájékoztatni fogjuk Önt.

A vállalati ügyfeleknek nyújtott szolgáltatás változatlanul folytatódik. Elnézést kérünk a kellemetlenségekért.

GD300HFX65C8SN

Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 650V


Gyartó: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Gyártói jelölés:
GD300HFX65C8SN
TME Jelkép:
GD300HFX65C8SN

Specifikáció

Gyártó
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Félvezető modul típusa
IGBT
Félvezető struktúra
tranzisztor/tranzisztor
Topológia
IGBT félhíd
Max ellenfeszültség
650V
Kollektoráram
300A
Tokozás
C8 48mm
Elektromos szerelés
csavarható, FASTON csatlakozás
Emitter - kapu feszültség
±20V
Kollektoráram az impulzusban
600A
Technológia
Trench FS IGBT
Mechanikai szerelés
csavarható
Bruttó súlya200 g
Tanusítványok
További termékek ebben a kategóriában: IGBT modulok STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD300HFX65C8SN
0 raktáron a TME-nél
Darabszám (Többszörös: 16)
Minimális rendelési mennyiség: 16.
Többszörös: 16.
Nettó ár a következő mennyiségek esetében 16 db - 54.70 EURBruttó ár a következő mennyiségekre 16 db - 69.47 EUR