+1 500 000 produkter i sortimentet

7000 pakker daglig

+300 000 kunder fra 150 land

QuickBuy Favoritter
Handlekurv

Vennligst ta kontakt med din markedsrepresentant. Vi inviterer dere til et nettbasert møte.

GD200HFX65C8S

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A


Produsent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Betegnelse på produsenten:
GD200HFX65C8S
TME Symbol:
GD200HFX65C8S

Specification

Manufacturer
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge
Max. off-state voltage
650V
Collector current
200A
Case
C8 48mm
Electrical mounting
FASTON connectors, screw
Gate-emitter voltage
±20V
Pulsed collector current
400A
Technology
Trench FS IGBT
Mechanical mounting
screw
Gross weight200 g
Certificates
Se andre produkter i denne kategorien: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD200HFX65C8S
0 på lager hos TME
Antall stykker (Multiplum: 16)
Minsteantall som kan bestilles: 16.
Multiplum: 16.
Produkt på spesialbestilling