APTCV60HM45RCT3G
Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP3F; Press-in PCB; 250Вт
Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY
Обозначение производителя:
APTCV60HM45RCT3G
Код TME:
APTCV60HM45RCT3G
Спецификация
Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип полупроводникового модуля | транзистор MOSFET / IGBT | ||
Конструкция диода | диод SiC/транзистор | ||
Напряжение сток-исток | 600В | ||
Ток стока | 38А | ||
Корпус | SP3F | ||
Топология | 1-фазный диодный мост, Н мост, термистор NTC | ||
Электрический монтаж | Press-in PCB | ||
Сопротивление в открытом состоянии | 45мОм | ||
Ток стока в импульсном режиме | 130А | ||
Рассеиваемая мощность | 250Вт | ||
Технология | CoolMOS™, Field Stop, SiC, Trench | ||
Напряжение затвор-исток | ±20В | ||
Механический монтаж | винтами | ||
Ток коллектора | 50А |
Масса брутто110 g
Сертификаты
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. является импортером изделий этой марки
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTCV60HM45RCT3GКоличество штук (Кратность заказа: 1)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 160.81 USDЦена брутто для количества от 1 pcs - 160.81 USD
Чистая цена для количества от 3 pcs - 143.96 USDЦена брутто для количества от 3 pcs - 143.96 USD
Чистая цена для количества от 10 pcs - 127.88 USDЦена брутто для количества от 10 pcs - 127.88 USD
Предложение доступно для зарегистрированных клиентов