APTM120DA30CT1G
Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 23А; SP1; Press-in PCB; 657Вт
Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY
Обозначение производителя:
APTM120DA30CT1G
Код TME:
APTM120DA30CT1G
Спецификация
Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | ||
Конструкция диода | диод SiC/транзистор | ||
Напряжение сток-исток | 1,2кВ | ||
Ток стока | 23А | ||
Корпус | SP1 | ||
Топология | boost chopper, термистор NTC | ||
Электрический монтаж | Press-in PCB | ||
Сопротивление в открытом состоянии | 0,36Ом | ||
Ток стока в импульсном режиме | 195А | ||
Рассеиваемая мощность | 657Вт | ||
Технология | POWER MOS 8®, SiC | ||
Напряжение затвор-исток | ±30В | ||
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто80 g
Сертификаты
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. является импортером изделий этой марки
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120DA30CT1GКоличество штук (Кратность заказа: 12)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 12 pcs - 74.60 USDЦена брутто для количества от 12 pcs - 74.60 USD
Предложение доступно для зарегистрированных клиентов