APTM120U10SCAVG
Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 86А; SP6; винтами; Idm: 464А
Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY
Обозначение производителя:
APTM120U10SCAVG
Код TME:
APTM120U10SCAVG
Спецификация
Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | |
Конструкция диода | диод SiC/транзистор | |
Напряжение сток-исток | 1,2кВ | |
Ток стока | 86А | |
Корпус | SP6 | |
Топология | одиночный транзистор + последовательный диод + параллельный диод | |
Электрический монтаж | винтами | |
Сопротивление в открытом состоянии | 0,12Ом | |
Ток стока в импульсном режиме | 464А | |
Рассеиваемая мощность | 3,29кВт | |
Технология | POWER MOS 7®, SiC | |
Напряжение затвор-исток | ±30В | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто300 g
Сертификаты
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. является импортером изделий этой марки
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTM120U10SCAVGКоличество штук (Кратность заказа: 3)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 3 pcs - 272.50 EURЦена брутто для количества от 3 pcs - 272.50 EUR
Предложение доступно для зарегистрированных клиентов