IXTN110N20L2
Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт
Производитель: IXYS
Обозначение производителя:
IXTN110N20L2
Код TME:
IXTN110N20L2
Спецификация
Производитель | IXYS | |
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | |
Конструкция диода | одиночный транзистор | |
Напряжение сток-исток | 200В | |
Ток стока | 100А | |
Корпус | SOT227B | |
Электрический монтаж | винтами | |
Полярность | полевой | |
Сопротивление в открытом состоянии | 24мОм | |
Ток стока в импульсном режиме | 275А | |
Рассеиваемая мощность | 735Вт | |
Технология | Linear L2™ | |
Вид канала | обогащенный | |
Заряд затвора | 500нC | |
Время готовности | 420нс | |
Напряжение затвор-исток | ±30В | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто30 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules IXYS,
* IXTN110N20L2Количество штук (Кратность заказа: 1)
0 на складе TME
Чистая цена для количества от 1 pcs - 46.80 EURЦена брутто для количества от 1 pcs - 46.80 EUR
Чистая цена для количества от 5 pcs - 44.18 EURЦена брутто для количества от 5 pcs - 44.18 EUR
Чистая цена для количества от 10 pcs - 39.40 EURЦена брутто для количества от 10 pcs - 39.40 EUR
Чистая цена для количества от 100 pcs - 36.91 EURЦена брутто для количества от 100 pcs - 36.91 EUR