IXTN170P10P
Модуль; одиночный транзистор; -100В; -170А; SOT227B; винтами
Производитель: IXYS
Обозначение производителя:
IXTN170P10P
Код TME:
IXTN170P10P
Спецификация
Производитель | IXYS | |
Тип полупроводникового модуля | MOSFET транзистор | |
Конструкция диода | одиночный транзистор | |
Напряжение сток-исток | -100В | |
Ток стока | -170А | |
Корпус | SOT227B | |
Электрический монтаж | винтами | |
Полярность | полевой | |
Сопротивление в открытом состоянии | 14мОм | |
Ток стока в импульсном режиме | -510А | |
Рассеиваемая мощность | 890Вт | |
Технология | PolarP™ | |
Вид канала | обогащенный | |
Заряд затвора | 240нC | |
Время готовности | 176нс | |
Напряжение затвор-исток | ±30В | |
Механический монтаж | винтами |
Масса брутто30 g
Сертификаты
Смотреть остальные продукты этой категории: Transistor modules IXYS,
* IXTN170P10PКоличество штук (Кратность заказа: 300)
0 на складе TME
Продукт по специальному заказу