A1P35S12M3
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 35A
المصنع: STMicroelectronics
علامة الشركة المصنعة:
A1P35S12M3
رمز TME:
A1P35S12M3
المواصفات
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | transistor/transistor | |
Topology | IGBT half-bridge x3, NTC thermistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 35A | |
Case | ACEPACK™1 | |
Application | Inverter, motors | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 70A | |
Power dissipation | 250W | |
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي24.84 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: وحدات IGBT STMicroelectronics,
* A1P35S12M3عدد القطع (المضاعف: 1)
12 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 44.24 EURالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 44.24 EUR
المنتج متوفر فقط حتى نفاد المخزون
طريقة التغليف من قبل الشركة المصنعةصندوق كرتون = 18 pcs