IXFN80N60P3
Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
المصنع: IXYS
علامة الشركة المصنعة:
IXFN80N60P3
رمز TME:
IXFN80N60P3
المواصفات
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 600V | |
Drain current | 66A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 77mΩ | |
Pulsed drain current | 200A | |
Power dissipation | 960W | |
Technology | HiPerFET™, Polar3™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 0,19µC | |
Reverse recovery time | 250ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
الوزن الإجمالي37.1 g
شهادات
شاهد منتجات أخرى من هذه الفئة: Transistor modules IXYS,
* IXFN80N60P3عدد القطع (المضاعف: 1)
0 في مستودع TME
السعر الصافي للكميات من 1 pcs - 28.73 EURالسعر الإجمالي للكميات من 1 pcs - 28.73 EUR
السعر الصافي للكميات من 10 pcs - 23.35 EURالسعر الإجمالي للكميات من 10 pcs - 23.35 EUR
السعر الصافي للكميات من 20 pcs - 21.49 EURالسعر الإجمالي للكميات من 20 pcs - 21.49 EUR
السعر الصافي للكميات من 50 pcs - 19.91 EURالسعر الإجمالي للكميات من 50 pcs - 19.91 EUR
طريقة التغليف من قبل الشركة المصنعةعصا = 10 pcs