2SD315AI

Name: POWER INTEGRATIONS 2SD315AI
Brand: POWER INTEGRATIONS
SKU: 2SD315AI
Price: 68.041 EUR
Availability: OutOfStock

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Hersteller: POWER INTEGRATIONS

Kennzeichnung des Herstellers:

2SD315AI

Symbol TME:

2SD315AI

Nettopreis für Mengen von 1 st - 76.54 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 91.84 USD

Nettopreis für Mengen von 3 st - 72.38 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 86.85 USD

Nettopreis für Mengen von 6 st - 69.25 USDBruttopreis für Mengen von 6 st - 83.10 USD

Nettopreis für Mengen von 12 st - 66.13 USDBruttopreis für Mengen von 12 st - 79.36 USD

Nettopreis für Mengen von 48 st - 65.56 USDBruttopreis für Mengen von 48 st - 78.67 USD

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Hersteller	POWER INTEGRATIONS
Typ des Halbleitermoduls	gate driver board
Topologie	IGBT Halbbrücke, MOSFET Halbbrücke
Montage	Stiftleiste
Betriebstemperatur	-40...85°C
Technologie	SCALE™-1
Spannungsklasse	1,7kV
Frequenz	0,1MHz
Ausgangsstrom	18A
Ausgangs-Art	Steuerung IGBT
Eigenschafte integrierter Schaltkreise	integrierter DC/DC Wandler