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Hersteller	STMicroelectronics
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	IGBT Halbbrücke x3, NTC Thermistor
Rückspannung max.	1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom	35A
Gehäuse	ACEPACK™1
Anwendung	Motoren, Wechselrichter
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	70A
Verlustleistung	250W
Mechanische Montage	schraubbar

A1P35S12M3

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 35A

Technische Daten