APT38M50J
Modul; einzelner Transistor; 500V; 24A; ISOTOP; schraubbar; 357W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APT38M50J
Symbol TME:
APT38M50J
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 500V | ||
Drainstrom | 24A | ||
Gehäuse | ISOTOP | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,1Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 175A | ||
Verlustleistung | 357W | ||
Technologie | POWER MOS 8® | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* APT38M50JAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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