APTC80A10SCTG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 800V; 32A; SP4; Idm: 168A; 416W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTC80A10SCTG
Symbol TME:
APTC80A10SCTG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 800V | ||
Drainstrom | 32A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Topologie | MOSFET Halbbrücke, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,1Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 168A | ||
Verlustleistung | 416W | ||
Technologie | CoolMOS™, SiC, SJ-MOSFET | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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