APTCV60TLM24T3G
Modul; Diode/Transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTCV60TLM24T3G
Symbol TME:
APTCV60TLM24T3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET / IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 70A | ||
Gehäuse | SP3F | ||
Topologie | 3-Level 1-Phasen Wechselrichter, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 24mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 260A | ||
Verlustleistung | 462W | ||
Technologie | Field Stop, SJ-MOSFET, Trench | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 75A |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTCV60TLM24T3GAnzahl Stück (Vielfache: 8)
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Nettopreis für Mengen von 8 st - 101.24 EURBruttopreis für Mengen von 8 st - 121.49 EUR
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