APTCV60TLM70T3G
Modul; Diode/Transistor; 600V; 29A; SP3; Press-in PCB; Idm: 160A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTCV60TLM70T3G
Symbol TME:
APTCV60TLM70T3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET / IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 600V | |
Drainstrom | 29A | |
Gehäuse | SP3 | |
Topologie | 3-Level 1-Phasen Wechselrichter, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 70mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 160A | |
Verlustleistung | 250W | |
Technologie | Field Stop, SJ-MOSFET, Trench | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Mechanische Montage | schraubbar | |
Kollektor-Emitter-Strom | 50A |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
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