APTGL475U120DAG
Modul: IGBT; Diode/Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 475A; SP6C
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGL475U120DAG
Symbol TME:
APTGL475U120DAG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | einzelner Transistor + Reihendiode | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 475A | |
Gehäuse | SP6C | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 800A | |
Technologie | Field Stop, Trench | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTGL475U120DAGAnzahl Stück (Vielfache: 5)
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Nettopreis für Mengen von 5 st - 192.51 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 231.01 USD
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