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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	asymmetrische Brücke
Rückspannung max.	1,7kV
Kollektor-Emitter-Strom	150A
Gehäuse	SP6C
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	300A
Technologie	Field Stop, Trench
Mechanische Montage	schraubbar

APTGT150DH170G

Modul: IGBT; Diode/Transistor; asymmetrische Brücke; Urmax: 1,7kV

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke