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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	17A
Gehäuse	SP6P
Topologie	NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	0,42Ω
Drainstrom im Impuls	88A
Verlustleistung	390W
Technologie	POWER MOS 7®, SiC
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM100TA35SCTPG

Modul; SiC-Diode/Transistor; 1kV; 17A; SP6P; Press-in PCB; Idm: 88A

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke