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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	110A
Gehäuse	SP6
Topologie	einzelner Transistor + Reihendiode + Paralleldiode
Elektrische Montage	schraubbar
Widerstand im Leitungszustand	78mΩ
Drainstrom im Impuls	580A
Verlustleistung	3,25kW
Technologie	POWER MOS 7®, SiC
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM100UM65SCAVG

Modul; SiC-Diode/Transistor; 1kV; 110A; SP6; schraubbar; Idm: 580A

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke