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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	200V
Drainstrom	225A
Gehäuse	SP6C
Topologie	Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	7,2mΩ
Drainstrom im Impuls	1,2kA
Verlustleistung	1,25kW
Technologie	POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM20AM06SG

Modul; Diode/Transistor; 200V; 225A; SP6C; Idm: 1200A; 1,25kW

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke