APTMC120AM20CT1AG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 108A; SP1; Press-in PCB; 600W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTMC120AM20CT1AG
Symbol TME:
APTMC120AM20CT1AG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 108A | |
Gehäuse | SP1 | |
Topologie | MOSFET Halbbrücke, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 17mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 280A | |
Verlustleistung | 600W | |
Technologie | SiC | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht80 g
Zertifikate
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