APTMC60TLM55CT3AG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 38A; SP3F; Press-in PCB; 263W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTMC60TLM55CT3AG
Symbol TME:
APTMC60TLM55CT3AG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 38A | |
Gehäuse | SP3F | |
Topologie | 3-Level 1-Phasen Wechselrichter, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 52mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 100A | |
Verlustleistung | 263W | |
Technologie | SiC | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Transistor modules MICROCHIP TECHNOLOGY
* APTMC60TLM55CT3AGBenutzen Sie die Spezifikationstabelle unten, um ähnliche Produkte zu finden
Produkt aus dem Angebot entfernt.
Angebot verfügbar für eingeloggte Kunden