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FAM65HR51DS2

Modul; Transistor/Transistor; 650V; 33A; APM16-CAA; THT; 135W; Tube


Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
FAM65HR51DS2
Symbol TME:
FAM65HR51DS2

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung
650V
Drainstrom
33A
Gehäuse
APM16-CAA
Topologie
Brücke H
Elektrische Montage
THT
Widerstand im Leitungszustand
79mΩ
Verlustleistung
135W
Gate-Source Spannung
±20V
Verpackungs-Art
Tube
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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FAM65HR51DS2
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