IXBN75N170
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXBN75N170
Symbol TME:
IXBN75N170
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 1,7kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 75A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 680A | |
Verlustleistung | 625W | |
Technologie | BiMOSFET™ | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Hochspannung | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht37.09 g
Zertifikate
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* IXBN75N170Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 113.44 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 136.12 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 101.92 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 122.30 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 95.13 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 114.15 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st