IXFN30N120P
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 30A; SOT227B; schraubbar; 890W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN30N120P
Symbol TME:
IXFN30N120P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 30A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,35Ω | |
Drainstrom im Impuls | 75A | |
Verlustleistung | 890W | |
Technologie | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 310nC | |
Bereitschaftszeit | 300ns | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.6 g
Zertifikate
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* IXFN30N120PAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st