IXFN70N100X
Modul; 1kV; 65A; SOT227B; 1,2kW; HiPerFET™; 310ns; schraubbar
NEUHEIT
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXFN70N100X
Symbol TME:
IXFN70N100X
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Drain-Source Spannung | 1kV | |
Drainstrom | 65A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Widerstand im Leitungszustand | 89mΩ | |
Verlustleistung | 1,2kW | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Bereitschaftszeit | 310ns | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* IXFN70N100XAnzahl Stück (Vielfache: 300)
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