IXGN200N170
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXGN200N170
Symbol TME:
IXGN200N170
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 1,7kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 160A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 1,05kA | ||
Verlustleistung | 1,25kW | ||
Technologie | NPT | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* IXGN200N170Anzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 64.61 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 77.53 USD
Nettopreis für Mengen von 5 st - 59.55 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 71.46 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 57.47 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 68.96 USD