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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Rückspannung max.	1,7kV
Kollektor-Emitter-Strom	160A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	1,05kA
Verlustleistung	1,25kW
Technologie	NPT
Mechanische Montage	schraubbar

IXGN200N170

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B

Technische Daten