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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Rückspannung max.	0,6kV
Kollektor-Emitter-Strom	52A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	360A
Verlustleistung	360W
Technologie	GenX3™, PT
Mechanische Montage	schraubbar

IXGN72N60C3H1

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B

Technische Daten