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Hersteller	IXYS
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	800V
Drainstrom	44A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	74mΩ
Verlustleistung	380W
Technologie	CoolMOS™
Kanal-Art	anreicherungs
Gate-Ladung	360nC
Bereitschaftszeit	800ns
Gate-Source Spannung	±20V
Mechanische Montage	schraubbar

IXKN45N80C

Modul; einzelner Transistor; 800V; 44A; SOT227B; schraubbar; 380W

Technische Daten